當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)檢測(cè)設(shè)備>>晶圓形貌測(cè)量系統(tǒng)>> WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,,實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV,、LTV,、Bow、Warp,、TIR,、SORI、等反應(yīng)表面形貌的參數(shù),。
通過(guò)非接觸測(cè)量,,WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量設(shè)備將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,,TTV,、BOW、WARP,、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測(cè)量
集成厚度測(cè)量模組和三維形貌、粗糙度測(cè)量模組,,使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度,、TTV、LTV、BOW,、WARP,、粗糙度、及三維形貌的測(cè)量,。
2,、高精度厚度測(cè)量技術(shù)
(1)采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤(pán),,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸,。
(3)采用Mapping跟隨技術(shù),可編程包含多點(diǎn),、線(xiàn),、面的自動(dòng)測(cè)量。
3,、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)
(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm,;
(2)隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲,,獲得高測(cè)量重復(fù)性。
(3)機(jī)器視覺(jué)技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn),,虛擬夾具擺正樣品,,可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量。
4,、大行程高速龍門(mén)結(jié)構(gòu)平臺(tái)
(1)大行程龍門(mén)結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),,移動(dòng)速度500mm/s。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠。
(3)關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線(xiàn)導(dǎo)軌導(dǎo)引,、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng),,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設(shè)備的高精度,、高效率,。
5、操作簡(jiǎn)單,、輕松無(wú)憂(yōu)
(1)集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺(tái)平移、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作,。
(2)具備雙重防撞設(shè)計(jì),,避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。
(3)具備電動(dòng)物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單,。
WD4000可廣泛應(yīng)用于襯底制造,、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè),、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學(xué)加工、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè),。可測(cè)各類(lèi)包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,,從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、曲率等,,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D,、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。
應(yīng)用場(chǎng)景
1,、無(wú)圖晶圓厚度,、翹曲度的測(cè)量
通過(guò)非接觸測(cè)量,,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),,有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。
2,、無(wú)圖晶圓粗糙度測(cè)量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來(lái)反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車(chē)間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,測(cè)量穩(wěn)定性良好,。
懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的需要,,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,,不便之處敬請(qǐng)諒解,。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號(hào) | WD4000 |
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng) | |
可測(cè)材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測(cè)量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃,、米字,、自由多點(diǎn) |
測(cè)量參數(shù) | 厚度,、TTV(總體厚度變 化)、LTV,、BOW,、WARP、平面度,、線(xiàn)粗糙度 |
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X,、5X、20X,、50X,可選多個(gè)) |
可測(cè)樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測(cè)量參數(shù) | 顯微形貌 ,、線(xiàn)/面粗糙度、空間頻率等三大類(lèi)300余種參數(shù) |
膜厚測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測(cè)厚度 | 0.4um |
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測(cè)量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4",、6",、8"、12" |
晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤(pán)載臺(tái) |
X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
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